芯片高溫老化壽命試驗(yàn)（HTOL）
高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL)
參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108；
測(cè)試條件：
For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before H**00-005.
Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.
Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.
Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.
Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.
Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.
廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（GRGT）是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站，經(jīng)過50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)，專注于為客戶提供計(jì)量、檢測(cè)、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)，在計(jì)量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、元器件篩選與失效分析檢測(cè)、車規(guī)元器件認(rèn)證測(cè)試、電磁兼容檢測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國內(nèi)*水平。
GRGT目前具有以下芯片相關(guān)測(cè)試能力及技術(shù)服務(wù)能力：
芯片可靠性驗(yàn)證(RA)：
芯片級(jí)預(yù)處理(PC)&MSL試驗(yàn)、J-STD-020&JESD22-A113；
高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL),JESD22-A103；
溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC),JESD22-A104；
溫濕度試驗(yàn)(TH/THB),JESD22-A101；
高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTSL/HAST),JESD22-A110；
高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL),JESD22-A108；
芯片靜電測(cè)試(ESD)：
人體放電模式測(cè)試(HBM),JS001；
元器件充放電模式測(cè)試(CDM),JS002；
閂鎖測(cè)試(LU),JESD78；
TLP；Surge/EOS/EFT；
芯片IC失效分析(FA)：
光學(xué)檢查(VI/OM)；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH；Micro-probe;
聚焦離子束微觀分析(FIB)；
廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（GRGT）失效分析實(shí)驗(yàn)室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊(duì)，執(zhí)行過大量的AEC-Q測(cè)試案例，積累了豐富的認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗(yàn)服務(wù)。
GRGT團(tuán)隊(duì)技術(shù)能力：
集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控
集成電路競(jìng)品分析、工藝分析
芯片級(jí)失效分析方案turnkey
芯片級(jí)靜電防護(hù)測(cè)試方案制定與平臺(tái)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)
靜電防護(hù)失效整改技術(shù)建議
集成電路可靠性驗(yàn)證
材料分析技術(shù)支持與方案制定
半導(dǎo)體材料分析手法
芯片測(cè)試地點(diǎn)：廣電計(jì)量-廣州總部試驗(yàn)室、廣電計(jì)量-上海浦東試驗(yàn)室。
芯片高溫老化壽命試驗(yàn)：
GRGT張經(jīng)理186-2090+8348；
zhanghp grgtest.com